一、 硅太陽能電池生產中在腐蝕清洗、去磷硅玻璃和石英管清洗等工藝過程中須使用KOH、IPA、鉻酸、HF、HCl、H2SO4等化學藥品，相應的產生含IPA濃廢液污水和含氟廢液污水、含鉻污水等。

二、 硅太陽能電池的主要生產工序如下：清洗：清洗的主要目的是去除硅片上的污物。制絨：硅晶太陽能電池的制絨工藝是加入鉻酸或HNO3、HF、H2SO4的強氧化性溶液將切割后硅片上的污物清除，在硅片上形成減反織構。

擴散：磷擴散是在硅片表層摻入純雜質原子的過程。

刻蝕、去PSG：利用HF溶液對硅片邊緣進行腐蝕，去除硅片邊緣的PN結。去PSG是對刻蝕后硅片上的磷硅玻璃用氫氟酸等清洗的方法進行清除。

等離子化學氣相沉積(PECVD)：PECVD被使用來在硅片上沉積氮化硅材料。

絲網印刷：是通過絲網印刷機將銀漿或鋁漿等導電材料印刷在硅片上。

三、以晶體硅太陽能電池污水處理為例，介紹采用“絮凝沉淀+酸堿中和+活性污泥處理工藝”。

太陽能電池是一種對光有響應并能將光能轉換成電力的器件。能產生光伏效應的材料有許多種，如：單晶硅、多晶硅、非晶硅、砷化鎵、硒銦銅等。單晶硅、多晶硅太陽能電池，統稱為晶體硅太陽能電池。它們的發電原理基本相同。

晶體硅太陽電池的生產過程大致可分為五個步驟：①提純過程；②拉棒過程；③切片過程；④制電池過程；⑤封裝過程。

1表面腐蝕：在制造電池之前要先進行硅片的表面準備，包括硅片的化學清洗和硅片的表面腐蝕。通過化學清洗去除玷污在硅片上的各種雜質。通過表面腐蝕除去硅片表面的切割損傷，獲得適合制結要求的硅表面。

2制絨：單晶硅的制絨工藝是堿制絨，利用氫氧化鈉(混合)溶液對單晶硅片進行各向異性腐蝕來制備絨；多晶硅的制絨工藝是酸制絨，通過加入鉻酸和氫氟酸，利用鉻酸的強氧化性將切割后硅片上的污物清除，導致硅片表面產生球形腐蝕坑，從而使硅片表面對光線的吸收增強，降低表面反射率，達到在硅片上形成減反機構的目的。

3去磷硅玻璃(PSG)及去邊緣P-N結：一般是將硅片侵入稀釋的HF中，以去除磷硅玻璃。與此同時，去除擴散過程中硅片周邊表面形成的擴散層，以消除電池正負極短路。具體參見http://www.dowater.com更多相關技術文檔。

因污水中含有難降解的類似聚乙二醇等高分子有機聚合物，一般好氧處理需較長停留時間才能將有機物去除，因此，設計先進行厭氧預處理后，在厭氧菌的降解下使聚合物碳鏈斷裂成小分子的醇類、醋酸根陰離子等，同時分解部分有機物，降低污水中的有機物含量。

四、其他處理方法：升流式厭氧污泥床反應器（UASB），混凝+厭氧+缺氧+好氧處理工藝， 活性污泥法，“UASB—活性污泥—二沉—ABR—接觸氧化—氣浮—生物濾池—連續砂過濾”多級耦合生化組合處理工藝等。